SK hynix anunció este viernes una inversión total de aproximadamente 54,3 billones de wones (unos US$38.300 millones) para construir dos nuevas fábricas de memoria en Corea del Sur.

La decisión adoptada tras la reunión de su directorio responde al crecimiento sostenido de la demanda de memoria en la era de la inteligencia artificial (IA), según informó la compañía en un comunicado.

Del monto total, 35,2 billones de wones se destinarán a la construcción de la fábrica “Y2” en Yongin, orientada a la producción de DRAM, y 19,1 billones de wones a la fábrica “M17” en Cheongju, enfocada en NAND.

La decisión forma parte de la ejecución del plan de inversión de mediano y largo plazo que SK hynix anunció en junio de 2026, cuando informó que invertiría 600 billones de wones en el Clúster de Semiconductores de Yongin y 100 billones de wones adicionales para expandir su base de producción en Cheongju.

SK hynix construye actualmente su primera fábrica en Yongin (Y1), cuya primera sala limpia está proyectada para febrero de 2027.

Según la firma de investigación de mercado Omdia, la demanda de DRAM y NAND mantendría una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) de 19% entre el año pasado y 2030. SK hynix señaló que no interpreta este crecimiento como un superciclo temporal, sino como una transformación estructural en la que la memoria deja de ser un simple componente para convertirse en infraestructura clave que determina el desempeño de la IA.

La compañía indicó que, en la era de la IA, la competitividad tecnológica por sí sola no basta, y que la capacidad de suministrar el volumen requerido en el momento exacto en que los clientes lo necesitan constituye la ventaja competitiva definitiva. SK hynix agregó que la decisión de inversión se tomó tras una revisión exhaustiva de la demanda de mercado.

Y2 es la segunda de cuatro fábricas planificadas para el Clúster de Semiconductores de Yongin y funcionará como base de producción de DRAM, con una superficie total de unos 1,13 millones de metros cuadrados, según la empresa.

La construcción comenzará en julio del próximo año, con la meta de abrir su primera sala limpia en junio de 2029 para producir memoria de ancho de banda alto (HBM) y otros productos DRAM de próxima generación.